Эллипсометры и рефлектометры
Автоматизированное измерение спектрального коэффициента отражения и толщины пленок в видимом и ближнем инфракрасном диапазоне с функцией картирования поверхности.
|
Параметр
|
Значение
|
|---|---|
|
Измеряемые параметры
|
Толщина, n, k, профиль однородности (Mapping)
|
|
Спектральный диапазон
|
350 – 1050 нм
|
|
Диапазон измеряемых толщин
|
30 нм – 500 000 нм
|
|
Скорость измерения
|
~0.1 секунды на точку
|
|
Точность измерения толщины
|
0.3 нм (по стандартному образцу)
|
|
Повторяемость (SiO2 100 нм)
|
0.1 Å (1σ, 10 измерений)
|
|
Размер пятна измерения
|
Диаметр 10 мм
|
|
Рабочая область столика
|
До 300 мм (12 дюймов), вакуумная фиксация
|
|
Источник света
|
Галогенная лампа (ресурс >10 000 часов)
|
|
Детектор
|
CCD 2048 пикселей, охлаждение TE
|
|
Интерфейсы
|
USB 3.0/2.0, поддержка MES
|
Спектральный рефлектометр RA-500 представляет собой автоматизированную измерительную систему для построения карт однородности покрытий и неразрушающего контроля толщины, показателя преломления (n) и коэффициента экстинкции (k) диэлектрических пленок. Прибор оптимизирован для работы с полупроводниковыми пластинами диаметром до 12 дюймов (300 мм) с поддержкой пластин меньшего диаметра для меньших форматов. Решение подходит для задач оперативного картирования однородности покрытий на всей поверхности подложки в условиях серийного производства и НИОКР, где требуется высокая пропускная способность.
Внешний вид рефлектометра RA-500
Измерение базируется на методе спектральной рефлектометрии вертикального падения. Широкополосный белый свет от галогенного источника направляется на поверхность образца через фокусирующую систему. Отраженный сигнал собирается строго вертикально (под углом 90°) с помощью интегрирующей сферы и передается по анти-УФ волокну на высокочувствительный спектрометр. Система регистрирует интенсивность отражения в спектральном диапазоне от 350 нм до 1050 нм. Встроенное программное обеспечение проводит регрессионный анализ полученного спектра, используя библиотеки оптических моделей, и вычисляет физические параметры пленки за десятки миллисекунд.
Ключевым преимуществом модели RA-500 является высокая скорость сканирования, достигающая 0.1 секунды на точку измерения, что позволяет строить детальные карты распределения толщины (Mapping) за минимальное время. Прецизионный столик с линейным и поворотным перемещением обеспечивает позиционирование с точностью до 0.0005 мм и вращением на 360 градусов, предусматривая вакуумную фиксацию образцов. Прибор оснащен обратно-подсвечиваемым CCD-детектором на 2048 элементов с микро-ТЕ охлаждением (до 30°C ниже температуры окружающей среды), что гарантирует отношение сигнал/шум на уровне 4800:1. В отличие от эллипсометров, анализирующих поляризацию под наклоном для слоев <30 нм, вертикальная рефлектометрия обеспечивает высокую скорость контроля пленок толщиной от 30 нм до 500 000 нм. Точность измерения толщины составляет 0.3 нм относительно калибровочного стандарта, а повторяемость достигает 0.1 Å для пленки SiO2 толщиной 100 нм.
Для корректного выбора метода контроля важно учитывать физические различия в сборе данных. Спектральные рефлектометры измеряют интенсивность отраженного света (R) вертикально (под углом 90°) без анализа поляризации. Это обеспечивает высокую скорость измерений (до 0.1 с на точку) и простоту эксплуатации, оптимально подходя для контроля диэлектрических пленок толщиной от 30 нм до нескольких сотен микрон. Спектральные эллипсометры измеряют изменение поляризационного состояния света (параметры Ψ и Δ) под наклонным углом (40°–90°). Эллипсометрия обеспечивает более глубокий анализ сложных многослойных структур и сверхтонких пленок (менее 30 нм), но работает медленнее и требует более сложной юстировки. Для задач контроля толщины стандартных диэлектриков в производстве рефлектометры являются предпочтительным решением благодаря скорости и надежности.
В запросе укажите Рефлектометр RA-500. Укажите материал и размеры образца, диапазон высот, измеряемые свойства и необходимость автоматического сканирования.
