Комбинированные системы напыления

Платформа PicoVAC

Малогабаритная технологическая платформа PicoVAC для лабораторных, исследовательских и учебных задач нанесения покрытий. Состав процессных устройств выбирается под технологию.

Платформа PicoVAC

Ключевые параметры

Размер образцов
Обработка образцов диаметром до 100 мм;

Расположение образцов – лицевой стороной вниз;

Система ионного ассистирования
Мощность до 2 КВт, для повышения плотности и однородности напыляемых покрытий;
Нагрев
Ламповый до 350оС, либо до 600оС

Технические характеристики

Размер образцов Обработка образцов диаметром до 100 мм;

Расположение образцов – лицевой стороной вниз;

Источники питания Постоянный ток (DC): мощность 1000-1500 Вт

Индуктивно-связанная плазма (ICP): мощность 600-1000 Вт, частота 13.56 МГц;

Электронно-лучевой испаритель: мощность до 6 КВт;

Система ионного ассистирования Мощность до 2 КВт, для повышения плотности и однородности напыляемых покрытий;
Нагрев Ламповый до 350оС, либо до 600оС
Давление в камере Откачка на базе сухого спирального и турбомолекулярного насосов;

Рабочее давление в реакторе 10-2 – 10-6  торр;

Контроль давления – химически стойкие мембранные датчики, блокировка на открытие клапанов;

Количество газовых каналов От одного до четырех, в зависимости от технологического процесса;

Максимальный расход от 20 см3/мин до 100 см3/мин;

Электронные регуляторы расхода газов;

Управление Ручное или автоматическое с лицевой панели;

Технология нанесения и устройство установки

Вакуумное технологическое оборудование на базе платформы PicoVAC позволяет осуществлять осаждение (Магнетрон, ЭЛИ, ПХТиО и др.) тонкопленочных и многослойных покрытий. Оборудование ориентировано на лабораторное, исследовательское и образовательное применение, а также на мелкосерийное производство.

Технологические процессы, реализуемые на базе платформы PicoVAC

  • Магнетронное осаждение металлических слоев;
  • Магнетронное осаждение диэлектрических слоев;
  • Электронно-лучевое испарение;
  • Плазмохимическое осаждение из газовой фазы диэлектрических слоев (SiO2, Si3N4 и др.);
  • Атомно-слоевое осаждение тонких конформных слоев;
  • Удаление фоторезиста в кислородной плазме;
  • Плазмохимическое травление широкого спектра материалов;
  • Очистка и модифицирование поверхности подложек и структур.

Другие разделы и оборудование

Запросить конфигурацию

В запросе укажите Платформа PicoVAC. Укажите материал покрытия и подложки, размер образца, выбранный способ нанесения и требуемую толщину слоя.

Cookie-файлы
Настройка cookie-файлов
Детальная информация о целях обработки данных и поставщиках, которые мы используем на наших сайтах
Аналитические Cookie-файлы Отключить все
Технические Cookie-файлы
Другие Cookie-файлы
Мы используем файлы Cookie для улучшения работы, персонализации и повышения удобства пользования нашим сайтом. Продолжая посещать сайт, вы соглашаетесь на использование нами файлов Cookie. Подробнее о нашей политике в отношении Cookie.
Понятно Подробнее
Cookies