Системы фотоэлектронной спектроскопии XPS

XPS-NAP

Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия высокого давления

XPS-NAP

Ключевые параметры

Энергетический диапазон
1 эВ ~ 1500 эВ
Рабочее расстояние
300 мкм ~ 500 мкм
Рабочее давление
от UHV до 25 мбар
Средний радиус анализатора
150 мм

Технические характеристики

Основная аналитическая камера Материал и конструкция Нержавеющая сталь SUS316L с внутренним слоем из мю-металла
Анализатор энергии Тип R150-NAP
Средний радиус анализатора 150 мм
Энергетический диапазон 1 эВ ~ 1500 эВ
Проходящая энергия (Pass Energy) 1~200 эВ, несколько на выбор
Система ввода электронов Стандартная апертура 300 мкм
Рабочее расстояние 300 мкм ~ 500 мкм
Угол приема ±22°
Рабочее давление от UHV до 25 мбар
Число ступеней дифференциальной откачки 3
Конструкция изоляции 1-я и 2-я ступени откачки разделяются клапаном
Монохроматизированный рентгеновский источник Модель μXR600-Mono-NAP
Мишень Al
Размер пятна 200 мкм ~ 600 мкм
Столик для образца Оси 4 или 5 осей
Охлаждение/Нагрев Опция жидкостного азотного охлаждения или лазерного нагрева (до 1100 K)
Система нагрева Нагрев потоком горячего воздуха
Система управления Реальное отображение вакуума, управление и защита системы

Измерительная конфигурация и работа с образцом

XPS-NAP (Near-Ambient Pressure XPS) – это специализированная система для проведения рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии в условиях, близких к атмосферным. Эта революционная технология преодолевает ключевое ограничение традиционной РФЭС, требующей работы в сверхвысоком вакууме, и позволяет проводить in-situ характеризацию границ раздела твёрдое тело-газ и жидкость-газ при давлении до 25 мбар.

Принцип работы и технологический прорыв

В основе метода XPS лежит фотоэлектрический эффект. При облучении поверхности образца монохроматическим рентгеновским излучением (например, от источника Al Kα) фотоны взаимодействуют с электронами внутренних оболочек атомов, вызывая их выход с поверхности. Измеряя распределение кинетической энергии этих фотоэлектронов с помощью полусферического анализатора, можно определить химический состав и валентное состояние элементов.

Однако при прохождении через газовую среду фотоэлектроны испытывают неупругие столкновения и теряют энергию. Чтобы решить эту проблему, NAP-XPS использует многоступенчатую систему дифференциальной откачки (три ступени), которая последовательно понижает давление на пути электронов от образца, находящегося в газовой среде, к анализатору, который остается в условиях сверхвысокого вакуума. Это обеспечивает высокочувствительный анализ в условиях, приближенных к реальным, устраняя «разрыв в давлении» между лабораторными условиями и средой практического применения. Система оснащена полусферическим анализатором R150-NAP с большим углом приема электронов (±22°), что критически важно для получения сильного сигнала в условиях разреженной газовой среды.

XPS-NAP — иллюстрация оборудования и измерений

Принципиальная схема системы РФЭС высокого давления (NAP-XPS)
c трехступенчатой системой дифференциальной откачки

Ключевые особенности и возможности системы

  • Анализ состава поверхности
    Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS) позволяет получить информацию об элементном составе, химическом состоянии и электронной структуре поверхности образца. Этот метод имеет предел обнаружения приблизительно 0.1-1% для поверхностных элементов и позволяет точно определить химическое валентное состояние элементов. Монохроматизированный рентгеновский источник обеспечивает анализ с размером пятна от 200 до 600 мкм.
  • Анализ распределения по глубине
    Оснащенный источником распыления ионов Ar⁺ с регулируемой энергией, он позволяет анализировать профиль элементного состава образца, изменяющегося по глубине. Кроме того, измерения методом XPS с переменным углом позволяют получать информацию о химическом составе поверхности на различной глубине зондирования (0–10 нм), что является важным инструментом для исследования тонких пленок и интерфейсов.
  • Контроль газовой среды при давлении, близком к атмосферному (NAP-XPS)
    Испытательная камера обеспечивает точный контроль давления от сверхвысокого вакуума (8×10⁻¹⁰ мбар) до давления, близкого к атмосферному (25 мбар), и может быть заполнена различными реакционными газами (включая O₂, H₂, CO, CO₂, C₂H₄ и водяной пар и т. д.) для имитации реальной среды каталитической реакции.
  • Нагрев образца
    Интегрированная система лазерного нагрева позволяет проводить in-situ-характеризацию в диапазоне температур от комнатной до 1100 K. В сочетании с ионным распылением Ar⁺ она позволяет осуществлять очистку и отжиг образцов in situ, предоставляя комплексное решение для исследований в области физики поверхности и катализа.
  • Изучение фотокатализа in situ
    Система оснащена внешним источником света на основе ксеноновой лампы, которая может одновременно излучать свет в газовых средах и при нагреве, что позволяет осуществлять мониторинг процесса фотокаталитической реакции в режиме реального времени и предоставляет уникальную техническую платформу для изучения механизмов фотокатализа.
  • Изучение электрохимических реакций in situ
    Используя систему с присоединённым перчаточным боксом, электрохимические образцы (батареи/электрокатализаторы) могут проходить циклы реакционной характеристики в условиях воздушной изоляции, точно отслеживая изменение химического состояния поверхности электрода в зависимости от потенциала/времени.

Области применения

  • Исследование каталитических реакций в реальном времени

  • Изучение электрохимических интерфейсов

  • Исследование процессов роста тонких плёнок в присутствии реакционных газов

  • Исследование коррозии во влажной атмосфере

  • Изучение механизмов фотокатализа

  • Энергетический катализ и экология

Другие разделы и оборудование

Запросить КП

В запросе укажите XPS-NAP. Укажите тип образца, задачу анализа, энергетический или угловой диапазон и требуемые условия измерения.

Cookie-файлы
Настройка cookie-файлов
Детальная информация о целях обработки данных и поставщиках, которые мы используем на наших сайтах
Аналитические Cookie-файлы Отключить все
Технические Cookie-файлы
Другие Cookie-файлы
Мы используем файлы Cookie для улучшения работы, персонализации и повышения удобства пользования нашим сайтом. Продолжая посещать сайт, вы соглашаетесь на использование нами файлов Cookie. Подробнее о нашей политике в отношении Cookie.
Понятно Подробнее
Cookies