Системы фотоэлектронной спектроскопии XPS
Микрофокусная рентгеновская фотоэлектронная спектрометрия
| Основная аналитическая камера | Материал и конструкция | Нержавеющая сталь SUS316L с внутренним слоем из мю-металла |
|---|---|---|
| Остаточное магнитное поле в точке образца | Тип. ≤20 мГс; Опт. ≤5 мГс | |
| Предельный вакуум | 8×10⁻¹⁰ мбар | |
| Анализатор энергии | Тип | Полусферический анализатор R150X |
| Средний радиус анализатора | 150 мм | |
| Энергетический диапазон | 1 эВ ~ 1500 эВ | |
| Проходящая энергия (Pass Energy) | 1~500 эВ, несколько на выбор | |
| Энергетическое разрешение | ≤50 мэВ (FWHM @ Ep=2 эВ, Ek=9.1 эВ) | |
| Угловое разрешение | ≤0.1° (с пятном 0.1 мм в углоразрешённом режиме) | |
| Режимы работы линзы | Режим передачи, (опционально углоразрешённый) | |
| Режимы сбора данных | Фиксированный режим, режим сканирования | |
| Столик для образца | Тип | Полностью автоматический, 5-осевой |
| Область сканирования | Диаметр 60 мм | |
| Диапазон перемещения | X: ±25 мм, Y: ±25 мм, Z: 0~15 мм | |
| Вращение | 0~360° | |
| Наклон | 0°~90° (для углового анализа, разрешение ≤±1°) | |
| Рентгеновский источник | Модель | μXR200-Mono (монохроматизированный, микрофокусный) |
| Фотонная энергия (мишень) | Al Kα (15 кВ) | |
| Световой поток | ≥ 1×10¹⁰ фотонов/сек | |
| Размер пятна | Тип. 100 мкм (Опт. 10 мкм) | |
| Монохроматор | Кварцевый кристалл | |
| Ультрафиолетовый источник | Модель | VUV430-AF |
| Применимые газы | He, Ne, Xe и др. | |
| Источник возбуждения | Твердотельный ВЧ-источник | |
| Дополнительное оборудование | Ионная пушка (Ar⁺), нейтрализатор и др. | |
| Система нагрева | Нагрев потоком горячего воздуха; макс. 200°C | |
| Система управления | Реальное отображение вакуума, управление и защита системы | |
XPS-VERSA – это современный микрофокусный рентгеновский фотоэлектронный спектрометр, обеспечивающий высокое пространственное разрешение для анализа поверхности материалов. Метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) основан на взаимодействии рентгеновских лучей с атомами и молекулами. Основной принцип метода заключается в измерении энергии и интенсивности фотоэлектронов, испускаемых при воздействии рентгеновского излучения на поверхность образца.
Высокая поверхностная чувствительность. Метод позволяет анализировать только верхние слои образца толщиной до нескольких нанометров, что делает его особенно полезным для исследования поверхностных свойств материалов.
Высокая химическая специфичность. Метод позволяет идентифицировать элементы, присутствующие на поверхности образца, и определять их химическое состояние. Это достигается путем анализа энергии связи фотоэлектронов, которая зависит от химической природы атома или молекулы, из которых они исходят.
Высокая энергетическая разрешающая способность. Метод позволяет различать фотоэлектроны с разными энергиями с высокой точностью, что позволяет определять даже небольшие изменения в химическом состоянии поверхности образца.
Ключевое отличие спектрометра XPS-VERSA заключается в использовании микрофокусного монохроматизированного источника (μXR200-Mono), который фокусирует излучение в чрезвычайно малое пятно типичным размером 100 мкм и оптимальным — до 10 мкм. Это обеспечивает высокое пространственное разрешение и позволяет проводить элементный и химический анализ микроскопических объектов, таких как отдельные частицы, дефекты или паттерны микросхем.
Высокое энергетическое разрешение (≤ 50 мэВ) гарантирует точное разделение пиков химических состояний даже при работе с малыми образцами. Для точного позиционирования микроскопических областей анализа используется полностью автоматический пятиосевой столик с широким диапазоном перемещения X/Y: ±25 мм, что позволяет анализировать большую площадь без переустановки образца. Система рассчитана на работу со стандартными образцами диаметром 2 дюйма и поддерживает многофункциональные измерения (XPS, UPS, ARPES, AES).
Таким образом, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия является мощным методом анализа поверхности материалов, сочетающим высокую поверхностную чувствительность, химическую специфичность и энергетическую разрешающую способность с уникальным пространственным разрешением.
В запросе укажите XPS-VERSA. Укажите тип образца, задачу анализа, энергетический или угловой диапазон и требуемые условия измерения.
