Система электронно-лучевой литографии EBL-100FS

Система электронно-лучевой литографии EBL-100FS – это высокопроизводительное решение для нанолитографии, предназначенное для формирования структур субмикронного и нанометрового диапазона. Оборудование ориентировано на научно-исследовательские лаборатории, центры коллективного пользования и опытные производства в областях полупроводниковой электроники, фотоники и MEMS-технологий. Система напрямую записывает структуры на резисте с высокой точностью совмещения. Она предназначена для разработки новых топологических норм, изготовления масок и прототипирования устройств с минимальной шириной линии до 10 нм.

Принцип работы и конструкция

Работа системы EBL-100FS базируется на использовании электронной оптики с ускоряющим напряжением до 100 кВ. Источником электронов служит катод Шоттки с автоэмиссией, обеспечивающий высокую яркость и стабильность пучка. Формирование изображения осуществляется методом векторного сканирования, что оптимизирует время экспонирования по сравнению с растровым методом. Перемещение образца реализовано по схеме Step & Repeat на вакуумном столе с ортогональной структурой. Позиционирование контролируется лазерной интерферометрической системой с дифференциальной измерительной структурой, обеспечивающей разрешение измерения лучше 0.6 нм и стабильность длины волны лазера в вакууме на уровне ±0.2 ppm в течение всего срока службы. Вакуумная система комбинированного типа включает сухие форвакуумные насосы, турбомолекулярные насосы производительностью от 240 л/с и ионные насосы, что гарантирует чистоту колонны и рабочей камеры.

Ключевые особенности и преимущества

• Нанометровое разрешение: ускоряющее напряжение до 100 кВ обеспечивает размер пятна пучка ≤2.9 нм и минимальную ширину линии ≤10 нм.
• Высокая стабильность пучка: дрейф положения не превышает 10 нм/ч, нестабильность тока составляет не более ±0.5%/ч.
• Прецизионное позиционирование: точность сшивки полей и совмещения слоев ≤±10 нм благодаря лазерной интерферометрической системе с разрешением лучше 0.6 нм.
• Производительность: метод векторного сканирования со скоростью 100 МГц сокращает время экспонирования по сравнению с растровыми системами.
• Автоматизация процессов: встроенная коррекция близостных эффектов (PEC), поддержка формата GDSII и система автоматической калибровки искажений поля.
• Гибкость конфигурации: поддержка пластин диаметром 6 дюймов (опционально 8 дюймов) и масок типов 6025/4525, возможность установки автоматического загрузчика на 10 кассет.
• Надежность и безопасность: соответствие стандартам SEMI-S2 и SEMI F47, опциональная активная виброизоляция с эффективностью гашения >90% на частоте 10 Гц.

Внешний вид ПО EBL-100FS

Примеры применения