Задача, поставленная заказчиком
Синтез Bi/Te-структур из газовой фазы методом термического испарения материалов из твердотельных источников.
Каждый твердотельный источник и подложка, на которую осаждаются испаренные вещества, должны иметь независимую температуру нагрева.
Расстояние «источник-подложка» нужно изменять в заданных пределах. Подложка должна иметь возможность изменения угла наклона.





