Двухколонные электронные микроскопы
Высокоразрешающий электронно-ионный микроскоп
| Параметр | Значение | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| KYKY EM6900 | KYKY EM6900LV | KYKY EM8000/8100 | HR9000 | ||
| Разрешение | 3нм@30кВ ( SE)
6нм@30кВ ( BSE) |
1,5нм@15кВ (SE)
3нм@30кВ (BSE) |
0,9нм@15кВ (SE)
1,5нм@1кВ (SE) 1,5нм@15кВ (BSE) 2,5нм@1кВ (BSE) 0,8нм@30кВ (STEM) |
||
| Увеличение | 6х – 300 000х | 8х – 300 000х | 8x – 800 000х | 10x – 1 000 000х | |
| Тип катода | термоэмиссионный вольфрамовый катод | катод Шоттки | |||
| Ток электронного луча | 10пА~2мкA | 10пА~300нА | 10пА~30нА
(опция 100нА) |
||
| Энергия электронного луча | 0,2 – 30кэВ | 0,02 – 30кэВ | |||
| Режим низковакуумной микроскопии | нет | да | нет | ||
| Режим низковольтной микроскопии | нет | опция | да | ||
| Детекторы электронов стандартные | детектор вторичных электронов (SE)
детектор отраженных электронов (BSE) |
детектор вторичных электронов (SE)
детектор отраженных электронов (BSE) внутрилинзовые детекторы (in-lens) |
|||
| Детекторы электронов опциональные | детектор прошедших электронов (STEM)
детектор поглощённого тока |
детектор прошедших электронов (STEM)
детектор поглощённого тока |
|||
| Шлюзовая камера | нет | да | |||
| Столик | пятиосевой эуцентрический моторизованный столик | ||||
| Диапазон перемещений | X: 0 – 80 мм / 0 – 150 мм
Y: 0 – 50 мм / 0 – 150 мм Z: 0 – 30 мм / 0 – 60 мм R: 360 градусов T: -5 – +90 градусов |
X: 0 – 140 мм
Y: 0 – 140 мм Z: 0 – 60 мм R: 360 градусов T: -10 – +80 градусов |
|||
| Макс. диаметр образца | 175 мм / 340 мм | 300мм | |||
| Аналитические и технологические опции | энергодисперсионный микроанализ (EDS), дифракция отраженных электронов (EBSD), волнодисперсионный микроанализ (WDS), анализ катодолюминесценции (CL), установка напыления, электронно-лучевая литография (EBL), туннельная микроскопия (STM), атомно-силовая микроскопия (AFM), температурные столики (нагрев и охлаждение), столик для механических нагрузок, микро и нано манипуляторы | ||||
| Ионная колонна (сфокусированный ионный луч) и система электронно-стимулированного осаждения | нет | да
диаметр ионного луча: 2,5нм @1пА 5нм @10пА |
|||
FIB
|
|---|
Электронный микроскоп HR9000 представляет из себя электронный микроскоп высокого разрешения с катодом Шоттки и возможностью установки колонны сфокусированного ионного луча. Используется электронно-оптическая колонна нового поколения. Наличие внутрилинзового детектора вторичных электронов и системы торможения электронного пучка позволяет существенно повысить функциональность и разрешающую способность прибора в низковольтном режиме работы. Сочетание передового качества решений ведущих мировых производителей компонентов СЭМ и разумной стоимости оборудования, что вместе с доступным локальным сервисом на территории России позволяет обеспечить надежную и эффективную работу оборудования на долгие годы.
|
 |
Оптимальное решение для проведения СЭМ исследований полупроводников, металлов, горных пород, минералов, руд, биологических отложений, а также органических и полимерных образцов с высоким пространственным разрешением. В конструкции микроскопа используется объективная линза, исключающая выход электромагнитного поля за пределы нижнего среза – никаких ограничений на работу с магнитными образцами или на работу с методикой ДОЭ (EBSD) нет.
Микроскоп оснащен эмиттером Шоттки высокой яркости и стабильностью луча, ионно-оптической колонной для технологических процедур, источником прекурсоров для прецизионного электронно-стимулированного осаждения, большим столиком образцов для возможности работы с габаритными материалами, а также обладает широкими возможностями модернизации – 27 портов для установки аналитических приставок, нано-манипуляторов, ввода различного рода излучений.
Сканирующий микроскоп комплектуется детектором вторичных электронов с встроенной системой защиты, детектором отраженных электронов четырехсегментного типа для композиционного, топографического и смешанного контраста, а также внутрилинзовым детектором, обеспечивающим работу при сверхмалых энергиях луча (вплоть до 20 эВ). Управление электронным микроскопом осуществляется с помощью ПК под управлением автоматизированного ПО.
| Высокое пространственное разрешение
0,9нм@15кВ (SE) 1,5нм@15кВ (BSE) 2,5нм@1кВ (BSE) 0,8нм@30кВ (STEM) низковольтный режим – 1,5нм@1кВ (SE, внутрилинзовый детектор) |
 |
|
Интуитивно понятное программное обеспечение |
| Модель РЭМ | Hitachi SU5000 | Zeis Sigma 300 | JEOL JSM-IT800HL | HR9000 | |
|---|---|---|---|---|---|
| Тип эмиттера | Шоттки | Шоттки | Шоттки | Шоттки | |
|
Разрешение |
1 кВ | 2.0 нм (режим торможения электронов) | 1.5 нм | 1.3 нм | 1.5 нм |
| 15 кВ | 3 нм | 1.0 нм | 0.7 нм | 0.9 нм | |
| 30 кВ | 1.2 нм | 1.0 нм | – | 0.8 нм (детектор прошедших электронов STEM) | |
| Энергия электронного луча | 500 В~30 кВ | 10 В~30 кВ | 20 В~30 кВ | 20 В~30 кВ | |
| Ток электронного луча | > 200 нА | 3 пА~20 нА | 300 нА макс | 10 пА~30 нА | |
| Увеличение | 30 -1,500,000 х | 10x~1,000,000x | 18x~2,000,000x | 10x~1,000,000x | |
| Столик | пятиосевой моторизованный | ||||
| Диапазон перемещений | 100 мм x 50 мм | 125 мм х 125 мм | 70 мм x 50 мм | 140 мм x 140 мм | |
| Разрешение изображения (макс.) | 5,120 x 3,840 | 32k x 24k | 5,120 x 3,840 | 24k x 24k | |
| Вакуумная система | 2хГИН* – 1xТМН** | 1хГИН – 1xТМН | 2хГИН – 1xТМН | 2хГИН – 1xТМН | |
*ГИН – Геттерно-ионные вакуумные насосы; **ТМН – Турбомолекулярные вакуумные насосы
 |
 |
 |
 |
| Полупроводниковый чип | Анод литиевого аккумулятора | Ткани организмов | Высокотемпературный сплав |
 |
 |
| Идентификация упрочняющей фазы в жаропрочном сплаве | Исследования содержания веществ в тканях и органах организмов |
| EDS: Энергодисперсионный анализ | FIB: Сфокусированный ионный луч |
|---|---|
Энергодисперсионная рентгеновская спектроскопия позволяет проводить качественный и количественный элементный анализ
|
Сфокусированный ионный луч выполняет широкий спектр задач от получения изображения во вторичных электронах до технологических манипуляций, таких как травление микро и нано структур и прецизионной пробоподготовки для просвечивающей электронной микроскопии
|
| EBSD: Дифракция отражённых электронов | WDS: Волнодисперсионный микроанализ |
|---|---|
EBSD регистрирует кристаллографические данные образца с высоким пространственным разрешением
|
WDS позволяет проводить точный количественный анализ по элементам
|
| EBL: Электронно-лучевая литография | Опции для расширения |
|---|---|
|
|
В запросе укажите Двухколонный электронный микроскоп HR9000. Укажите материал и размеры образца, требуемое разрешение, методы анализа и необходимость подготовки образцов.
